Технологические услуги

Перечень технологических услуг, предоставляемых АО "Светлана – Рост"

Перечень технологических услуг

№	Наименование
1	Технологический блок "Создание омических контактов к эпитаксиальным структурам DHFET GaN/AlGaN/SiC(Al2O3) диаметрами ф50,8 и ф76,2 мм" в составе:
	Изготовление фоторезистивных масок методом контактной фотолитографии для создания омических контактов (без совмещения)
	Электронно – лучевое напыление стандартной композиции металлов омических контактов
	Взрыв металлов, подготовка к термическому отжигу
	Вплавление композиции металлов в контролируемой газовой среде
	Контроль ВАХ резисторов
	Технологический блок создания омических контактов при изготовлении фоторезистивных масок методом контактной фотолитографии для создания омических контактов (с совмещением фотошаблона с топологией пластины)
2	Утонение пластин
	Утонение сапфировых подложек ф50,8 и ф76,2 мм методом глубокой шлифовки-полировки до 100 мкм до 45 мкм
	Утонение структур AlGaN/SiC и подложек SiC ф50,8 и ф76,2 мм методом глубокой шлифовки-полировки до 100 мкм
	Утонение подложек GaAs до 100 мкм методом химико-механической полировки: ф50,8 мм ф76,2 мм ф100 мм
3	Разделение на кристаллы
	Разделение сапфировых подложек толщиной не более 100 мкм на кристаллы при размере чипа не менее 1х1 мм
	Разделение подложек SiC толщиной не более 200 мкм на кристаллы при размере чипа не менее 1х1 мм
	Разделение подложек GaAs толщиной не более 500 мкм на кристаллы при размере чипа не менее 1х1 мм ф50,8 мм ф76,2 мм
4	Металлизация, за процесс За 1 процесс обрабатываются: Подложки диаметром 50.8 – 42 шт. Подложки диаметром 76.2 – 17 шт. Подложки диаметром 76.2 – 5 шт.
	Электронно-лучевое напыление тонких металлических пленок и их комбинаций на холодную подложку диаметром 50.8, 76.2, 100 мм под взрывную литографию и гальванических коммутационных слоев с запылением вертикальных стенок, в том числе с ионной очисткой поверхности или ионным ассистированием:
	Al: от 10 нм до 5 мкм
	Ni: от 10 нм до 250 нм
	Ti: от 10 нм до 500 нм
	Mo: от 10 нм до 500 нм
	Ge: от 10 нм до 200 нм
	In: от 0,5 до 3мкм
	Au: от 10 нм до 1 мкм
5	Фотолитография (1 пластина)
	Изготовление фоторезистивных масок на подложках диаметром 50.8, 76.2, 100 мм методом контактной фотолитографии при толщине фоторезистов от 0,35 до 1,5 мкм с проектной нормой 0,5 мкм на подложках диаметром до 76.2 мм включительно и 1 мкм на подложках диаметром более 76 мм
	То же при двухслойных масках для взрывной литографии
	Изготовление фоторезистивных масок на подложках диаметром от 50,8 до 100 мм методом электронно-лучевой литографии при толщине фоторезистов от 0,2 до 0,8 мкм с проектной нормой 0,2
	То же, но с совмещением ЭЛЛ топологии с топологией на пластине
6	Термическая обработка
	Термическая обработка полупроводниковых пластин в контролируемой газовой среде в программируемом температурном режиме при максимальной температуре до 900^оС при максимальной скорости нагрева 30^оС/сек.
7	Плазмохимические процессы
	Осаждение SiN_x и SiO₂ толщиной от 0,3 до 1 мкм методом PECVD
	Плазмохимическое травление пленок SiN_x и SiO₂ толщиной от 0,3 до 1 мкм
	Плазмохимическое травление пленок Al_xGa_1-_xN (x=0..1) толщиной от 0,3 до 2 мкм
	Плазмохимическое травление пленок Al_xGa_1-_xAs (x=0..1) толщиной от 0,3 до 10 мкм
	Травление мезы межприборной изоляции в Al_xGa_1-_xN