История

Февраль 2005 г.

Изготовлен первый российский транзистор, работающий в диапазоне 8 ГГц (совместно с ФГУП "НПП "Пульсар" и ЗАО "Светлана – Электронприбор")

Апрель 2006 г.

Приобретено в собственность производственное здание, начата его реконструкция

Июнь 2006 г.

Завершена разработка технологии производства и утверждены ТУ на эпитаксиальные структуры GaAs типа MESFET

Июнь 2006 г.

Получена лицензия ФСБ на осуществление работ с использованием сведений, составляющих государственную тайну

Сентябрь 2006 г.

Начаты регулярные поставки эпитаксиальных структур GaAs типа MESFET российским потребителям

22 декабря 2006 г.

Изготовлен первый российский нитридный транзистор Х-диапазона с плотностью мощности 3,6 Вт/мм в (совместно с ФГУП "НПП "Исток")

Июнь 2007 г.

Введен в строй новый ростовой зал класс 8 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2002

Сентябрь 2008 г.

Введены в строй:

• участок вакуумных технологий класс 5 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2002
• участок фотолитографии класс 4 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2002

Ноябрь 2009 г.

Изготовлен и испытан в соответствии с комплексом стандартов "Климат-7" нитридный широкополосный усилитель (в сотрудничестве с ОАО "ВНИИРА" и ОАО "ОКБ - Планета")

Декабрь 2009 г.

Завершена разработка технологии производства и утверждены ТУ на эпитаксиальные структуры GaAs типа pHEMT

Январь 2010 г.

Начаты регулярные поставки пластин GaAs с кристаллами заказанных элементов

Сентябрь 2010 г.

Завершена разработка технологии производства и утверждены ТУ на эпитаксиальные структуры AlGaN типа DHFET

Сентябрь 2011 г.

Проведена аттестация процесса изготовления пластин GaAs с кристаллами заказанных элементов MESFET 1.0

Октябрь 2011 г.

Проведена аттестация процесса изготовления пластин AlGaN с кристаллами заказанных элементов DHFET 0.5

Ноябрь 2011 г.

Аудит системы менеджмента качества подтвердил ее соответствие требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2008 и ГОСТ РВ 15.002-2003