Инфраструктура

Собственное производственное здание общей площадью 5400 м², в том числе:

545 м² чистых помещений:

 -Ростовой зал: Класс 8 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2001;    -     

- Участок вакуумных технологий: Класс 5 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2001;

- Участок фотолитографии: Класс 4 по ГОСТ Р ИСО 14644-1-2001;

Участок резки и утонения

Современное технологическое оборудование, обеспечивающее реализацию набора базовых технологических процессов:

Процессы выращивания эпитаксиальных гетероструктур методом молекуляроно-пучковой эпитаксии:

– 3 MBE системы (STE3532 – 2 шт.: SemiTEq, ЭП1203 -1 шт.) для InGaAlAs (до 4")

– 3 MBE системы (STE3N2 – 2 шт., STE3N3– 1 шт.: SemiTEq) для AlInGaN (до 3")

– UHV оборудование для подготовки узлов MBE

Процессы планарных вакуумных технологий

– Установка ионной имплантации

– 3 установки эл. лучевого напыления

– 2 системы быстрого термического отжига

– 2 установки плазменного травления RIE/ICP

– Установка плазмохимической обработки

– Установка осаждения диэлектриков PECVD

- Сканирующий электронный микроскоп

Процессы химии и фотолитографии

– 2 установки совмещения (Suss MJB-3, Suss MA-6)

– Автоматизированное оборудование "мокрой" химии и фотолитографии

Процессы утонения и разделения на кристаллы

– 2 установки шлифовки и полировки

– Установка приклейки пластин

– Установка разделения на чипы