Новости

1. 21 сентября 2011 г. Руководители АО "Светлана - Рост" приняли участие в Х отраслевой научно-практической конференции "Комплексная программа развития радиоэлектронной промышленности" в Великом Новгороде и выступили с докладом "Импортозамещение твердотельной ЭКБ - проблемы и пути решения"

2. 29 и 30 ноября 2011г. Аудит действующей на предприятии системы менеджмента качества подтвердил его соотвествие стандартам : ГОСТ РВ 15.002-2003 и ГОСТ Р ИСО 9001-2008. Область разработка и производство полупроводниковых материалов для производства продукции кодов ЕКПС: 5860, 5961, 5962, 5963, а также на разработку и производство пластин с заказанными элементами кодов ЕКПС: 5961, 5962, 5963.

3. Опубликована статья: "Модели организационного развития предприятий полупроводниковой промышленности"         (журнал "Электроника НТБ", №4 за 2011 г., стр.102-109).

4. Опубликована статья: "Нитридная СВЧ техника в России: материалы и технологии" (журнал "Электроника НТБ", №8 за 2011 г.)

5.  05.05.2012 г. Впервые в России на изготовленном в России СВЧ полевом транзисторе с барьером Шоттки удалось получить плотность мощности выходного сигнала в режиме непрерывной волны в 4 Вт на 1 миллиметр затвора на частоте сигнала 4 ГГц. Мощность СВЧ выходного сигнала транзистора при 1дБ компрессии составила Р_1дБ=3,9 Вт при коэффициенте усиления на малом сигнале К_УР=13,2 дБ. Мощность насыщения составила Р_нас=4.2 Вт при длине затвора 0,5 мкм и ширине затвора 1 мм.

Результат получен в сотрудничества трех предприятий – АО "Светлана – Рост", ФГУП ГЗ "Пульсар" и ФГУП "НПП "Пульсар". Разработчиком технологии и изготовителем эпитаксиальных гетероструктур и кристаллов нитридного транзистора было ЗАО "Светлана – Рост", монтаж устройства осуществлен в ФГУП "ГЗ Пульсар", разработку методики измерений и собственно проведение измерение осуществило ФГУП "НПП "Пульсар".

Проведенные измерения параметров простейшего тестового транзистора явились подтверждением успешного завершения 1 этапа разработки в АО "Светлана – Рост" технологии производства нитридных дискретных СВЧ устройств. Следующим шагом должны стать разработки конструкций конкретных транзисторов для конкретных применений и разработка стандартизованных технологий производства монолитных интегральных схем усилителей мощности СВЧ диапазона на нитридных эпитаксиальных гетероструктурах.

6. 19 декабря 2013 г. в ОАО "НПП"Пульсар" на заседании базовой кафедры МИЭРА "Твердотельная электроника" сотрудники АО "Светлана-Рост" представили первый в России комплекс "Правила и инструменты проектирования к стандартному технологическому процессу MESFET10". Процесс MESFET10 предназначен для производства аналоговых монолитных интегральных схем: усилителей промежуточной частоты, буферных усилителей, усилителей-ограничителей и смесителей в рабочем диапозоне частот 1,5 ГГЦ, двухпозиционных СВЧ коммутаторов, ограничителей мощности и аттенюаторов в рабочем диапазоне частот до 3 ГГц.

7.  АО «Светлана – Рост» выиграла конкурс Министерства образования и науки на получение субсидии из федерального бюджета на проведение в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы» комплексного проекта по теме: «Разработка технологий проектирования широкой номенклатуры СВЧ интегральных микросхем диапазона 4 – 18 ГГц» (Соглашение о предоставлении субсидии № 14.582.21.0010 от 14.10.2015, Уникальный идентификатор ПНИЭР RFMEFI58215X0010). Проект начат 14.10.2015 и будет завершен 30.12.2017.

8.  Завершен, предъявлен Комиссии Минобрнауки России и принят без замечаний 1 этап ПНИЭР «Разработка технологий проектирования широкой номенклатуры СВЧ интегральных микросхем диапазона 4 – 18 ГГц» (Соглашение о предоставлении субсидии № 14.582.21.0010 от 14.10.2015, Уникальный идентификатор ПНИЭР RFMEFI58215X0010).

Проект выполняется в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы»