Эпихаус

АО "Светлана – Рост" поставляет выращенные на отечественном оборудовании молекулярно-лучевой эпитаксии по спецификации Заказчика:

1. Гетероструктуры эпитаксиальные для СВЧ-электроники диаметром до 100 мм, в том числе:

- структуры эпитаксиальные на основе арсенида галлия
(СВБШ.6341-001-74774711-2008 ТУ)

- структуры гетероэпитаксиальные на основе арсенида галлия
(СВБШ.6365-003-74774711-2010 ТУ)

- гетероструктуры AlGaN с двойным электронным ограничением
(СВБШ.6365-001-74774711-2010 ТУ)

2. Гетероструктуры эпитаксиальные для оптоэлектроники диаметром до 76 мм, в том числе:

- гетероструктуры QWIP GaAlAs/GaAs (СВБШ.6365-009-74774711-2013 ТУ);

- XBn –структуры (СВБШ.6365-021-74774711-2020 ТУ).

Технические условия на эпитаксиальные гетероструктуры предоставляются по запросу.